삼성, 세계 첫 3나노 파운드리 제품 출하

최수경
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입력 2022-07-26 | 수정 2022-07-26 06:52 | 발행일 2022-07-26 제3면

업계 1위 대만 TSMC 제쳐

칩 면적 줄이고 성능은 높여

25일 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 양산 출하식'에서 관계자들이 3나노 웨이퍼를 공개하고 있다. 연합뉴스

삼성전자가 세계 최초로 3나노(1㎚는 10억분의 1m) 공정을 통한 파운드리(반도체 위탁생산) 제품 양산에 성공했다고 25일 밝혔다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 삼성전자가 파운드리(시스템 반도체) 부문에서 부동의 1위 자리를 지키고 있는 대만 TSMC를 제치고 가장 먼저 선보인 것이다. 삼성전자가 세계적인 경쟁력을 가진 메모리 분야에 이어 파운드리에서도 1위로 도약할 수 있는 기반을 다지게 됐다는 평가다.

삼성전자는 이날 경기 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식 행사를 가졌다. 특히 삼성전자가 업계 최초로 적용한 GAA는 기존 핀펫(3차원 입체구조의 칩 설계 및 공정) 기술보다 칩 면적과 소비전력은 줄이고 성능은 높였다. 3나노 GAA 1세대 공정은 기존 5나노 핀펫 공정보다 전력은 45% 절감되고 성능은 23% 향상됐으며, 면적은 16% 축소됐다고 삼성 측은 설명했다. 앞서 TSMC는 올 하반기에 기존 핀펫 기술을 적용한 3나노 양산을 시작할 것이라고 밝힌 바 있다.

최수경기자 justone@yeongnam.com