경북대, RFHIC-한국전자기술연구원과 3자 업무 협약

조진우 한국전자기술연구원 IT소재부품연구본부장, 홍원화 경북대 총장, 조삼열 RFHIC(주) 회장<왼쪽부터)이 차세대 와이드밴드캡 반도체 분야 산,학,연 협력 공동기술개발과 우수인력 양성 등을 위한 업무협약을 체결하고 기념촬영을 하고 있다. <경북대 제공>

경북대(총장 홍원화)는 지난 5일 경북대 본관 중앙회의실에서 RFHIC<주>, 한국전자기술연구원(KETI)과 차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산·학·연 협력 공동 기술 개발과 우수 인력 양성을 위한 공유·협업체계 구축을 주요 골자로 하는 산학협력 업무 협약을 체결했다.

협약 내용은 △차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산학연 공동 개발 프로젝트 수행 △반도체 파운드리 공정 구축사업 산학연 협력 △직무연수 및 연계 취업 협력 등이다.

경북대는 세계최고 속도인 1테라헤르츠급 차세대 반도체 소자 개발 등에 대한 세계적 연구 실적을 보유하고 있으며, 한국전자기술연구원(KETI)는 5G/6G 통신소자 분야에서 독보적인 기술적 우위를 선점하고 있다. RFHIC는 세계 최초로 GaN 트랜지스터를 출시한 국내 유일의 GaN 부품 생산기업이다.

이번 협약 체결로 3개 기관은 5G의 RF 핵심 반도체 기술력을 유지하고, 향후 8년 뒤 상용화 예정인 6G 이동통신용 반도체 시장의 세계적 기술 우위를 확보하는데 상호공동 노력하기로 했다. 특히 3개 기관이 협력해 대구시에 '차세대 와이드밴드갭 반도체 전용팹' 구축을 추진하기로 뜻을 모으기도 했다.

?와이드밴드갭 반도체= 넓은 예너지준위 특성을 가지는 화합물 반도체로서 실리콘(Si) 반도체에 비해 전력 소모량이 1/10 수준으로 낮고, 전자이동속도가 최대 10배 이상 빠른 반도체를 말한다. 이처럼 5세대 이동통신(5G/6G)과 인공지능(AI)을 구현하는 고주파수 장치와 기기, 데이터센터에는 화합물기반의(GaN, GaAs, InP 등)물질을 이용한 와이드 밴드갭 반도체가 유력하다.


박종문기자 kpjm@yeongnam.com

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